| 发明名称 | 具有相对于鳍以一角度延伸的控制栅极的非易失存储器 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一个方面，提供了一种非易失存储器，其包括：半导体衬底，包括体和从体向上突出并彼此分开的成对的鳍；控制栅极，覆盖成对的鳍的至少部分外侧表面并相对于成对的鳍以一角度延伸跨过鳍的顶部；成对的栅极绝缘层，夹置在控制栅极和成对的鳍之间；成对的存储节点层，夹置在成对的栅极绝缘层和至少部分控制栅极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101086994A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200610165948.8 | 申请日期 | 2006.12.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金元柱;朴允童;李政勋 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种非易失存储器，包括：半导体衬底，包括体和从所述体向上突出并彼此分开的成对的鳍；控制栅极，覆盖所述成对的鳍的至少部分外侧表面并相对于所述成对的鳍以一角度延伸跨过所述鳍的顶部；成对的栅极绝缘层，夹置在所述控制栅极和所述成对的鳍之间；以及成对的存储节点层，夹置在所述成对的栅极绝缘层和至少部分所述控制栅极之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||