| 摘要 |
<p>磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)では、それらのそれぞれのビット線を併合基準ノードに結合することによって、多数の基準ビットセルアレイが一緒に結合される。それぞれの基準ビット線と併合基準ノードとの間に結合されたパスゲート回路は、基準ビット線のうちの1つあるいは複数を併合基準ノードに選択的に結合または併合基準ノードから結合解除するように構成される。パスゲート回路は、パスゲート回路に結合されたワンタイムプログラマブルデバイスをプログラムすることによって制御可能である。ワンタイムプログラマブルデバイスは、欠陥がある基準ビットセルアレイを併合基準ノードから結合解除するように、または基準ノードに結合するために、冗長基準ビットセルアレイから選択するようにプログラム可能である。</p> |
