| 摘要 |
Es werden Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltungen bereitgestellt. In einem Beispiel umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung ein Verdichten eines oberen Oberflächenbereichs einer ILD-Schicht aus dielektrischem Material, die eine Metallisierungsschicht über einem Halbleitersubstrat überlagert, um eine verdichtete Oberflächenschicht aus dielektrischem Material zu bilden. Die verdichtete Oberflächenschicht und die ILD-Schicht werden durchgeätzt, um eine Metallleitung der Metallisierungsschicht freizulegen. |
