发明名称 一种复合离子镀膜机
摘要 本实用新型公开了一种复合离子镀膜机,包括镀膜圆形真空室,所述镀膜圆形真空室的顶部设置有Ta-HCD电子枪,所述镀膜圆形真空室的侧面圆周上设置有呈螺旋形分布的多个多弧/磁控可转换靶座。本实用新型在镀膜圆形真空室的侧面圆周上螺旋分布有多个多弧/磁控源可任意便捷进行转换的靶座结构,可以以多种不同的结构形式安装多弧阴极靶或磁控溅射靶,从而可分别或同时实现蒸发或溅射,且在镀膜圆形真空室的顶部设置了Ta-HCD电子枪,既能满足多弧蒸发与磁控溅射这两种方法在使用时膜层质量上的优势,又能在此基础上提高绕射性和膜层均匀性,具有更高的生产效率。
申请公布号 CN204325479U 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201420813833.5 申请日期 2014.12.18
申请人 成都中科唯实仪器有限责任公司 发明人 蒙志林;魏琼林;冉从军;何吉刚;马宁
分类号 C23C14/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/24(2006.01)I
代理机构 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人 郭霞
主权项 一种复合离子镀膜机,包括镀膜圆形真空室,其特征在于:所述镀膜圆形真空室的顶部设置有Ta‑HCD电子枪,所述镀膜圆形真空室的侧面圆周上设置有呈螺旋形分布的多个多弧/磁控可转换靶座。
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