发明名称 基于FTO/c-TiO<sub>2</sub>阴极的平面钙钛矿太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明公开了一种基于FTO/c-TiO<sub>2</sub>阴极的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,主要解决现有钙钛矿太阳能电池能级不匹配和界面特性差的问题。其自下而上包括:衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6),其中阴极(2),采用氟掺杂氧化锡FTO,用于收集电子,电子传输层采用致密二氧化钛c-TiO<sub>2</sub>,用于修饰界面,阻挡空穴,传输电子。本发明通过旋涂前驱体溶液制备c-TiO<sub>2</sub>电子传输层,降低了FTO电极的功函数,实现了FTO和CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>之间的能级匹配,改善了界面特性,有效提高了平面结构钙钛矿太阳能电池的性能。
申请公布号 CN104538551A 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201410827270.X 申请日期 2014.12.26
申请人 西安电子科技大学 发明人 唐诗;张春福;张进成;郝跃;陈大正;衡婷
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 陕西电子工业专利中心 61205 代理人 王品华;朱卫星
主权项 一种基于FTO/c‑TiO<sub>2</sub>阴极的平面钙钛矿太阳能电池,自下而上包括:衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6),其特征在于:阴极(2),采用氟掺杂氧化锡FTO,用于收集电子;电子传输层(3),采用致密二氧化钛c‑TiO<sub>2</sub>,用于修饰界面,阻挡空穴,传输电子。
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号