氮化物半导体发光元件及其制造方法

主权项

一种氮化物半导体发光元件，其系依序设置有n型氮化物半导体层、V型凹坑产生层、中间层、多重量子井发光层、及p型氮化物半导体层者；且上述多重量子井发光层系交替地积层障壁层与带隙能小于该障壁层之井层而构成之层；于上述多重量子井发光层中局部地形成有V型凹坑；上述V型凹坑之起点之平均位置位于上述中间层内。