发明名称 一种阵列基板的掺杂方法和掺杂设备
摘要 本发明公开了一种阵列基板的掺杂方法及掺杂设备,其方法包括提供定义有待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区的基板;通过光刻工艺在基板上形成光阻层,该光阻层对应待重掺杂区形成第一光阻部,对应待轻掺杂区形成第二光阻部,对应待掺杂沟道区形成第三光阻部,第一光阻部比第二光阻部薄,第二光阻部比第三光阻部薄;经光阻层对待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂,以一次形成分别与待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。通过上述方式,本发明能够实现对基板的沟道区、重掺杂区以及轻掺杂区的一次掺杂,简化工艺,降低成本。
申请公布号 CN104485278A 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201410770410.4 申请日期 2014.12.12
申请人 深圳市华星光电技术有限公司 发明人 薛景峰;陈归;郝思坤;张鑫
分类号 H01L21/22(2006.01)I 主分类号 H01L21/22(2006.01)I
代理机构 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人 何青瓦
主权项 一种阵列基板的掺杂方法,其特征在于,所述掺杂方法包括:提供基板,所述基板上定义有待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区;通过光刻工艺在所述基板上形成光阻层,其中,所述光阻层对应所述待重掺杂区形成第一光阻部,对应所述待轻掺杂区形成第二光阻部,对应所述待掺杂沟道区形成第三光阻部,所述第一光阻部比所述第二光阻部薄,所述第二光阻部比所述第三光阻部薄;经所述光阻层对所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂,以一次形成分别与所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。
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