HVPE腔室硬件

摘要

本文所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。

主权项

一种设备，包括：第一腔室主体；第二腔室主体，与所述第一腔室主体相连；舟，位于所述第二腔室主体中；第一加热元件，与所述舟耦接；第二加热元件，与所述第一腔室主体耦接；气体分配元件，配置于所述第一腔室主体中；基座，配置于所述第一腔室主体中且与所述气体分配元件相对；一个或多个第三加热元件，配置于所述基座下方；第一管，配置于所述第一腔室主体中所述基座的外围，所述第一管与所述舟耦接；以及第二管，与所述第一管耦接，所述第二管具有多个开口贯穿自身。