发明名称 半导体封装及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI479631 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW098122857 申请日期 2009.07.07
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 孙晧荣;崔俊基;梁胜宅
分类号 H01L23/52;H01L21/768 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 郑再钦 台北市中山区民生东路3段21号10楼
主权项 一种半导体封装,包含:一半导体晶片,其包括:一第一表面及不置其对面的第二表面;一置放在半导体晶片的电路部分;一耦合至电路部分之第一及第二内部电路图案,且相对于第一表面不同深度;以及分别通过第一及第二内部电路图案,与第一和第二表面之第一与第二穿孔;半导体晶片上穿孔上之第一及第二绝缘层,其中该绝缘层分别有第一开孔,与第二开孔,可沿着穿孔将第一内部电路与第二内部电路裸露;以及第一及第二穿孔内的第一及第二穿孔电极,可沿着第一及第二穿孔裸露第一及第二内部电路图案。
地址 南韩