发明名称 |
半導体装置の製造方法、半導体装置 |
摘要 |
半導体装置の製造方法は、基体に溝部を形成する溝部形成工程と、少なくとも前記溝部の内壁面を覆うバリア層を形成するバリア層形成工程と、前記バリア層を覆うシード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層をリフロー法によって溶融させるシード層溶融工程と、を備え、前記シード層はCuからなる。 |
申请公布号 |
JPWO2013047323(A1) |
申请公布日期 |
2015.03.26 |
申请号 |
JP20130536211 |
申请日期 |
2012.09.20 |
申请人 |
株式会社アルバック |
发明人 |
濱口 純一;小平 周司;坂本 勇太;佐野 昭文;鎌田 恒吉;門倉 好之;廣石 城司;沼田 幸展;鈴木 康司 |
分类号 |
H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;H01L23/532 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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