一种GaN基绿光LED外延结构及其制作方法

摘要

本申请公开了一种GaN基绿光LED外延结构，自下而上依次包括：蓝宝石衬底、缓冲层、第一非掺杂u GaN层、第二非掺杂u GaN层、高温nGaN层、第一低温nGaN层、InGaN/GaN电子储存层、第二低温nGaN层、InxGa1-xN/GaN多量子阱层、InyGa1-yN/GaN MQW发光层、低温P型GaN层、P型AlInGaN层、高温P型GaN层和P型接触层。本发明还提供一种GaN基绿光LED外延结构的制作方法。本发明解决了GaN基发光二极管的MQW结构存在阱垒之间晶格失配变大，极化效应变强，晶体质量差的问题，提高了内量子阱的内量子效，明显提高了LED器件的发光效率。

主权项

一种GaN基绿光LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构自下而上依次包括：蓝宝石衬底、缓冲层、第一非掺杂u GaN层、第二非掺杂u GaN层、高温nGaN层、第一低温nGaN层、InGaN/GaN电子储存层、第二低温nGaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱层、InyGa1‑yN/GaN MQW发光层、低温P型GaN层、P型AlInGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，其中，所述InxGa1‑xN/GaN多量子阱层，包括周期性生长的InxGa1‑xN/GaN阱层和InxGa1‑xN/GaN垒层，所述InxGa1‑xN/GaN阱层的生长温度为高于所述InyGa1‑yN/GaN MQW发光层阱层生长温度30℃至高于所述InyGa1‑yN/GaN MQW发光层阱层生长温度80℃之间的数值，所述InxGa1‑xN/GaN多量子阱层的生长厚度为所述InyGa1‑yN/GaN MQW发光层阱层厚度的三分之一至所述InyGa1‑yN/GaN MQW发光层阱层厚度的三分之二之间的数值；所述InxGa1‑xN/GaN垒层的生长温度与所述InyGa1‑yN/GaN MQW发光层的垒层生长温度相同，所述InxGa1‑xN/GaN垒层的生长厚度为所述InyGa1‑yN/GaN MQW发光层垒层厚度的三分之一至所述InyGa1‑yN/GaN MQW发光层垒层厚度的三分之二；所述InxGa1‑xN/GaN多量子阱层中InxGa1‑xN/GaN的生长周期为4‑20个。