用于单极半导体器件的制造方法和半导体装置

摘要

本发明涉及一种用于带有漂移层(16)的单极半导体器件的制造方法，具有步骤：通过漂移层(16)的材料的外延沉积来形成具有沿着漂移层(16)的生长方向(19)连续下降的载流子掺杂(n)的浓度的漂移层(16)，其中所述材料包括至少一种宽带隙材料。通过使用碳化硅用于通过外延沉积形成的漂移层(16)，载流子掺杂(n)的连续下降的浓度由于在后继工艺中掺杂原子的扩散的后来的改变被阻止。尤其是，借助该制造方法可以以简单的方式和/成本低地实现具有漂移层(16)的单极半导体器件，其中该漂移层具有在相对低的导通损耗情况下比较大的截止电压的有利的比例。单极半导体器件可以是有源半导体器件或者无源半导体器件。此外本发明还涉及半导体装置(10)。

主权项

用于带有漂移层(16)的单极半导体器件的制造方法，具有步骤：通过漂移层(16)的材料的外延沉积来形成具有沿着所述漂移层(16)的生长方向连续下降的载流子掺杂的浓度的所述漂移层(16)，所述材料包括至少一种宽带隙材料，其中所述漂移层(16)具有层厚d_Epi，该层厚d_Epi在考虑梯度参数λ的情况下通过所述漂移层(16)的优选的截止电压V_Br和所述漂移层(16)的优选的最大电场E_max来确定，其中适用的是：$d_{\mathrm{Epi}}=\frac{2V_{\mathrm{Br}}}{E_{\max }}·\frac{f\left(\lambda \right)}{h\left(\lambda \right)};$$f\left(\lambda \right)=2\frac{\sqrt{1+\lambda }-1}{\lambda };$$h\left(\lambda \right)=4·\left\{\frac{2}{3{\lambda }^2}\right[{(1+\lambda )}^{3/2}-1]-\frac{1}{\lambda }\};$并且λ处于在10至1000之间的范围中。