| 发明名称 | 一种含氮硅酸镁薄膜及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种含氮硅酸镁薄膜，所述薄膜为钛掺杂含氮硅酸镁薄膜，其通式为Mg<sub>1-X</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>2</sub>N<sub>2</sub>:<sub>X</sub>Ti<sup>4+</sup>，其中，X＝0.01～0.15。本发明还提供上述含氮硅酸镁薄膜的制备方法，其方法包括如下步骤：选取MgO粉体、SiO<sub>2</sub>粉体、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉体以及取TiO<sub>2</sub>粉体混合，烧结作为靶材；将所述靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设置工作参数，溅射得含氮硅酸镁薄膜。本发明还提供采用此方法获得的含氮硅酸镁薄膜在电致发光器件中的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102796517B | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201110134003.0 | 申请日期 | 2011.05.23 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 | 发明人 | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 |
| 分类号 | C09K11/59(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/59(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种含氮硅酸镁薄膜，其特征在于，所述薄膜为钛掺杂含氮硅酸镁薄膜，所述钛掺杂含氮硅酸镁薄膜的化学通式为Mg<sub>1‑X</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>2</sub>N<sub>2</sub>:<sub>X</sub>Ti<sup>4+</sup>，其中，所述X的取值范围为0.02～0.08。 | ||
| 地址 | 518052 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 | ||