| 发明名称 | 锗薄膜的减薄方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种锗薄膜的减薄方法，包括以下步骤：提供表面为锗薄膜的晶片；将晶片浸于包括氧化剂的水溶液中以进行锗薄膜的减薄，其中氧化剂将锗转化为锗氧化物，锗氧化物溶解在水溶液中；对减薄后的晶片进行清洗。本发明实施例的锗薄膜的减薄方法具有成本低、操作简便的优点，此外，与现有化学机械抛光减薄相比，具有可以通过控制溶液的配比以及温度，使得腐蚀减薄速率可控、减薄后表面粗糙度小的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104269347A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201410459554.8 | 申请日期 | 2014.09.10 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 孙川川;王敬;梁仁荣;许军 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种锗薄膜的减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：提供表面为锗薄膜的晶片；将所述晶片浸于包括氧化剂的水溶液中以进行锗薄膜的减薄，其中所述氧化剂将锗转化为锗氧化物，锗氧化物溶解在水溶液中；对减薄后的所述晶片进行清洗。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||