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发明名称
METHOD FOR MULTI-LAYER RESIST PLASMA ETCH
摘要
<p>플라즈마 에치 챔버에서 기판 위에 정의된 다중-레이어 레지스트를 에칭하는 방법이 제공된다. 본 방법은 다중-레이어 레지스트의 제 1 레이어 상에 정의된 패턴을 갖는 기판을 에치 챔버 내로 도입하면서 시작한다. SO가스가 에치 챔버 내로 유입되고, 이 SO가스를 유입시키면서 에치 챔버에서 플라즈마가 스트라이킹된다. 그 다음, 다중-레이어 레지스트가 에칭된다.</p>
申请公布号
KR101476435(B1)
申请公布日期
2014.12.24
申请号
KR20070119838
申请日期
2007.11.22
申请人
发明人
分类号
H01L21/3065
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
主权项
地址
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