半导体记忆装置

摘要

一种产生控制讯号之半导体记忆装置，用以当一延伸模式暂存器被设定时调节一内部功率电压之电位，以调整晶片之操作速率与tWR(写入恢复之时间)。该半导体记忆装置包含一延伸模式暂存器设定单元以及一内部功率电压产生单元。当一内部电路进入到一用于高速操作之特定模式，该延伸模式暂存器设定单元输出复数个内部功率控制讯号，以调节该内部电路之内部功率电压之电位。该内部功率电压产生单元藉由回应该复数个内部功率控制讯号而调节内部功率电压之电位来产生一内部功率电压。