发明名称 |
SOI PMOS ESD器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种SOI PMOS ESD器件及其制备方法,通过在体硅区中的沟道底部、且靠近并接触漏极区域侧边、远离源极区域和体硅区表面的位置形成ESD施主掺杂离子注入区,从而使得ESD施主掺杂离子注入区能够应用于SOI PMOS ESD器件,此位置的ESD施主掺杂离子注入区可以引导ESD触发电流流经体硅区域,因体硅区域的深度范围比漏极区域更大,从而提高了静电释放效果,减小了漏极区域的击穿电压。 |
申请公布号 |
CN104022154A |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201410260770.X |
申请日期 |
2014.06.12 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
颜丙勇 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种SOI PMOS ESD器件,包括:一SOI衬底、在所述SOI衬底上具有体硅区、栅极、源极、和漏极,其特征在于,在所述体硅区内的沟道底部,且靠近并接触所述漏极区域的侧边的位置设置有ESD施主掺杂离子注入区;所述ESD施主掺杂离子注入区远离所述源极区域和所述体硅区表面。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |