用于原子级及分子级电路的奈米互连体

摘要

一种用于在一基材中形成一互连体的方法，该基材包含有形成一氧化物上覆矽基材之位在一氧化物层上的半导体层，该方法包含有形成数个通入该基材至该半导体层的孔洞，并且将该等数个孔洞金属化以形成该互连体。

主权项

一种形成互连体的方法，该等互连体用于互连一基材之表面的原子的或分子的电路，该基材包含一团块基材上之氧化物层上的半导体层而形成一氧化物上覆矽基材，该半导体层上形成有一热氧化物层及一介电层，该方法包含：经由移除该团块基材的一部份而形成一从该基材之第一侧延伸至该氧化物层的窗口以暴露出该氧化物层，该氧化物层位在该第一侧及该半导体层之间；在该介电层内形成多数埋入式金属电极，每一埋入式金属电极具有一内端部，该等内端部之间存在一间隙且彼此互相面对；该介电层留存在该多数埋入式金属电极之间以及该等内端部之间；在该等内端部上形成奈米电极，该等奈米电极延伸朝向彼此且彼此之间具有一奈米间隙；形成进入该基材至该半导体层的多数孔洞，该团块基材中在该等孔洞处的部分业经移除，该等多数孔洞系穿通该等奈米电极、该介电层及该热氧化物层；通过该等多数孔洞来掺杂该半导体层的部分，该经掺杂之部分系延伸通过该半导体层；及将该等多数孔洞金属化以形成该等互连体；其中，邻近该半导体层中经掺杂之部分的该氧化物层中的一部份系通过该窗口而被移除以暴露出该半导体层的一表面，以及其中该电路系形成在邻近该经掺杂之部分的该半导体层之暴露表面上。