发明名称 高深宽比微结构中底部电极表面的检测装置和检测方法
摘要 本发明公开了高深宽比微结构中底部电极表面检测的装置和检测方法,其中,所述装置包括该高深宽比微结构包括:至少一个高深宽比结构,与每个高深宽比结构对应的一个底部电极和一个引出电极,底部电极与引出电极相连,所述装置还包括:围堰、导电溶液、公共电极、测试电极和测试系统,其中,围堰位于高深宽比微结构上,并与高深宽比微结构配合形成容器,导电溶液盛放与围堰与高深宽比微结构形成的容器中,公共电极位于导电溶液中,测试电极与引出电极连接,测试系统连接于公共电极和测试电极之间。本发明能够检测到底部电极表面用肉眼无法观测到的表面残留物,检测装置结构简单,检测方法易于操作。
申请公布号 CN104007147A 申请公布日期 2014.08.27
申请号 CN201410251035.2 申请日期 2014.06.06
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 于中尧
分类号 G01N27/12(2006.01)I;G01N27/20(2006.01)I 主分类号 G01N27/12(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 路凯;胡彬
主权项 一种高深宽比微结构中底部电极表面的检测装置,该高深宽比微结构包括:至少一个高深宽比结构,与每个所述高深宽比结构对应的一个底部电极和一个引出电极,且所述底部电极与所述引出电极相连,其特征在于,所述装置还包括:围堰,位于所述高深宽比微结构上,并与所述高深宽比微结构配合形成容器;导电溶液,盛放于所述围堰与所述高深宽比微结构形成的容器中;公共电极,部分浸在所述导电溶液中;测试电极,与所述任意一个引出电极连接;测试系统,连接于所述公共电极和所述测试电极之间;其中,所述底部电极、引出电极、导电溶液、公共电极、测试电极和测试系统组成导电回路。
地址 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋华进半导体封装先导技术研发中心有限公司