发明名称 | 静电放电防护装置及其电子装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种静电放电防护装置及其电子装置,其包括基板、P型阱、N型阱与隔离部。P型阱与N型阱形成于基板中且彼此相邻。沿特定方向,P型阱包括依序设置于其上的第一N型、第一P型、第二N型、第二P型与第三N型高掺杂区,且N型阱包括依序设置于其上的第三P型、第四N型、第四P型、一第五N型与第五P型高掺杂区。第一N型、第三N型、第一P型与第二P型高掺杂区耦接于接地端,第三P型、第五P型、第四N型与第五N型高掺杂区耦接于供电电压端,第二N型与第四P型高掺杂区耦接于输入/输出端。 | ||
申请公布号 | CN103985706A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
申请号 | CN201310084509.4 | 申请日期 | 2013.03.15 |
申请人 | 创杰科技股份有限公司 | 发明人 | 陈哲宏 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 赵根喜;吕俊清 |
主权项 | 一种静电放电防护装置,其特征在于,包括:一基板;一第一P型阱,形成于该基板中,该第一P型阱包括沿一特定方向依序设置于其上的一第一N型高掺杂区、一第一P型高掺杂区、一第二N型高掺杂区、一第二P型高掺杂区与一第三N型高掺杂区,其中该第一、第三N型高掺杂区与该第一、第二P型高掺杂区耦接于一第一接地端;以及一第一N型阱,形成于该基板,相邻于该第一P型阱,该第一N型阱包括沿该特定方向依序设置于其上的一第三P型高掺杂区、一第四N型高掺杂区、一第四P型高掺杂区、一第五N型高掺杂区与一第五P型高掺杂区,其中该第三、第五P型高掺杂区与该第四、第五N型高掺杂区耦接于一第一供电电压端,该第二N型高掺杂区与该第四P型高掺杂区耦接于一第一输入/输出端。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |