| 发明名称 | 形成半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于形成半导体器件的方法，包括：在处理室中在衬底上提供含金属栅电极膜；向处理室中流入由氢气(H<sub>2</sub>)和任选的稀有气体组成的处理气体；通过微波等离子体源由处理气体形成等离子体激发物质；以及将含金属栅电极膜暴露于等离子体激发物质以形成改性含金属栅电极膜，改性含金属栅电极膜具有低于含金属栅电极膜的功函数。其他实施方案描述了形成具有包含用于NMOS和PMOS晶体管的改性含金属栅电极的栅极堆叠体的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103975423A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201280060379.4 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 中村源志;长谷川敏夫 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体器件的方法，包括：在处理室中在衬底上提供含金属栅电极膜；向所述处理室中流入由氢气(H<sub>2</sub>)和任选的稀有气体组成的处理气体；通过微波等离子体源由所述处理气体形成等离子体激发物质；以及将所述含金属栅电极膜暴露于所述等离子体激发物质以形成改性含金属栅电极膜，所述改性含金属栅电极膜具有低于所述含金属栅电极膜的功函数。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||