垂直互补场效应管

摘要

本发明系为垂直互补场效应管，主要涉及半导体晶片之生产技术。更具体来说，系涉及功率积体电路晶片的生产技术。主要系于衬底层局部延伸入中间层并形成位于两个MOS单元之间的栓部，在该衬底层的下侧设有汇出端，当两个MOS单元的栅极被施加开通电压后，即形成MOS单元-栓部-衬底层-汇出端的两个导流通道，本技术可以集成俩个以上MOS管，因而能有效减小了晶片尺寸。

主权项

一种垂直互补场效应管，包括至少两个MOS单元，其特征在于：包括有一衬底层和一设于衬底层上的中间层，在该中间层与一个MOS单元对应处系嵌有井区，该衬底层的PN极性与中间层相反，与井区相同，前述的每个MOS单元包括一对PN同性电极和一个栅极，两个MOS单元的电极PN极性相反，其中一对电极设于中间层上并能在栅极控制下在中间层形成导通沟道，另一对电极设于井区上并能在栅极控制下在井区中形成导通沟道，所述的衬底层局部延伸入中间层并形成位于两个MOS单元之间的栓部，衬底层的下侧设有汇出端，当两个MOS单元的栅极施加开通电压后，形成MOS单元-栓部-衬底层-汇出端的两个导流通道。