一种垂直碳纳米管阵列向金属衬底转移的方法

摘要

本发明提供了一种垂直碳纳米管阵列向金属基底转移的方法，首先在基于化学气相沉积方法制备的垂直定向碳纳米管阵列端部溅射纳米金属颗粒，之后与转移目标金属衬底进行对准，施加一定压力，再利用局部感应加热的方法实现碳纳米管与金属衬底的键合，最后将生长碳纳米管的衬底剥离，即实现垂直碳纳米管阵列向金属衬底的转移。本发明提供的垂直碳纳米管阵列向金属衬底的转移方法，操作简单，局部非接触的加热方式对器件损伤较小，而且适合大面积的碳纳米管薄膜转移，在碳纳米管器件和电子封装热界面材料领域具有广泛的应用前景。

主权项

一种垂直碳纳米管阵列向金属衬底转移的方法，其特征是在基于化学气相沉积方法制备的垂直定向碳纳米管阵列端部溅射纳米金属颗粒，然后与转移目标金属衬底进行对准，施加一定压力，再利用局部感应加热的方法实现碳纳米管与金属衬底的键合，最后将生长碳纳米管的衬底剥离。