发明名称 |
一种LED制备方法、LED和芯片 |
摘要 |
本发明提供一种LED制备方法、LED和芯片,方法包括:在衬底上生成缓冲层;在缓冲层上依次生长非掺杂的氮化镓层和N型氮化镓层;在N型氮化镓层上生长至少一个量子阱结构;在最后生成的量子阱结构上生长电子阻挡层;在电子阻挡层上生长至少一层插入层,插入层由P型氮化镓层和铟铝镓氮层组成,铟铝镓氮层生长在P型氮化镓层之上;在最后生成的插入层上生长P型氮化镓层。本发明制备的LED具有高载流子迁移率插入层,空穴在此层能够充分迁移和扩散,因此能够提高空穴的注入效率,从而有效降低工作电压,LED发光效率增强,而且提高了空穴在P型层的分布均匀性,使得发光更加均匀,在该层电流能够扩散充分,有效提高了器件的抗静电能力。 |
申请公布号 |
CN103824917A |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
申请号 |
CN201410065734.8 |
申请日期 |
2014.02.25 |
申请人 |
圆融光电科技有限公司 |
发明人 |
黄小辉;于浩;周德保;杨东;康建;梁旭东 |
分类号 |
H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种LED制备方法,其特征在于,包括:在衬底上通过金属源和氨气反应生成缓冲层;在所述缓冲层上依次生长非掺杂的氮化镓层和N型氮化镓层;在所述N型氮化镓层层上生长至少一个量子阱结构,其中,所述量子阱结构由量子垒层和量子阱层组成,所述量子阱层生长在所述量子垒层之上;在生成的所述量子阱结构上生长电子阻挡层;在所述电子阻挡层上生长至少一层插入层,所述至少一层插入层由P型氮化镓层和铟铝镓氮层组成,且使铟铝镓氮层生长在所述P型氮化镓层之上;在生成的所述插入层上生长P型氮化镓层。 |
地址 |
243000 安徽省马鞍山市经济开发区湖西大道南路259号1-一层 |