像素结构及其制造方法

摘要

一种像素结构及其制造方法，包括以下步骤：图案化一第一金属层以形成一源极以及一漏极，且图案化一半导体材料层以形成一通道层以及一像素图案。形成一第一绝缘层以覆盖通道层、源极、漏极以及像素图案。于通道层上方的第一绝缘层上形成一栅极。形成一第二绝缘层以覆盖栅极以及第一绝缘层。于第一绝缘层以及第二绝缘层中形成一像素开口以暴露出像素图案的部分区域。对像素开口所暴露出的像素图案的部分区域进行改质以形成与漏极电性连接的一像素电极。

主权项

一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上依序形成一半导体材料层以及一第一金属层；图案化该第一金属层以形成一源极以及一漏极，且图案化该半导体材料层以形成一通道层以及一像素图案，其中该源极以及该漏极设置于该通道层上；于该基板上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖该通道层、该源极、该漏极以及该像素图案；于该通道层上方的该第一绝缘层上形成一栅极；于该基板上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该栅极以及该第一绝缘层；于该第一绝缘层以及该第二绝缘层中形成一像素开口，该像素开口暴露出该像素图案的至少一部分区域；以及对该像素开口所暴露出的该像素图案的至少一部分区域进行改质，以形成与该漏极电性连接的一像素电极。