发明名称 一种大面积投影光刻系统及其对准方法
摘要 本发明是一种大面积投影光刻系统及其对准方法。本发明大面积投影光刻系统,包括准分子激光器、照明系统、平移台、掩模板、投影系统、硅片基板,其中掩模板及硅片基板分别装设在平移台的两端,准分子激光器通过照明系统进行光路调制与光束质量优化后,使紫外激光的光斑透过安装在平移台一端位置上的掩模板,掩模板所成的激光物象通过投影系统成像在安装在平移台另一端位置上的硅片基板上。本发明采用了计算机数字图像处理中的模式识别方法实现掩模、硅片对准标记相对位置的计算,以取代传统光度型方法中采用的求和投影算法的相对位置计算方式,可有效提高对准精度,本发明对准精度对比传统方法有显著的提高,可直接媲美衍射光栅型对准系统。
申请公布号 CN102231049B 申请公布日期 2014.04.23
申请号 CN201110178698.2 申请日期 2011.06.29
申请人 广东工业大学 发明人 雷亮;周金运;林清华;陈丽;施颖;王新星
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 林丽明
主权项 一种大面积投影光刻系统,包括有准分子激光器(1)、照明系统(2)、平移台(3)、掩模板(4)、投影系统(5)、硅片基板(6),其中掩模板(4)及硅片基板(6)分别装设在平移台(3)的两端,准分子激光器(1)通过照明系统(2)进行光路调制与光束质量优化后,使紫外激光的光斑透过安装在平移台(3)一端位置上的掩模板(4),掩模板(4)所成的激光物象通过投影系统(5)成像在安装在平移台(3)另一端位置上的硅片基板(6)上; 其特征在于上述投影系统(5)包括有两个装设位置分别与掩模板(4)及硅片基板(6)对应的转角棱镜、一个同轴对准激光器(8)、两个半反半透镜(9)、第一图像传感器(10)、第二图像传感器(11),其中转角棱镜都镀上介质膜,两个半反半透镜(9)分别装设在同轴对准激光器(8)的光源的位置上,且两个半反半透镜(9)的其中一个反射面分别与两个转角棱镜的位置相对应,两个半反半透镜(9)的另一个反射面分别与第一图像传感器(10)及第二图像传感器(11)的位置相对应,同轴对准激光器(8)在经过半反半透镜(9)后,其反射光经过转角棱镜的介质膜分别照明掩模板(4)及硅片基板(6),所得到的视频图样再次经半反半透镜(9),最后分别被第一图像传感器(10)及第二图像传感器(11)获取。
地址 510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号
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