发明名称 | 空白掩模和使用所述空白掩模来制造光掩模的方法 | ||
摘要 | 本发明有关于一种具有光屏蔽层以及硬掩模膜的空白掩模,所述光屏蔽层包含光阻挡层以及抗反射层。所述光阻挡层以及所述抗反射层通过组合由MoSi化合物形成的层与由MoTaSi化合物形成的层而形成。因此,所述空白掩模实现32纳米或更小的图案的形成,这是因为所述光屏蔽层可形成为200埃到700埃的厚度且形成具有对应于所述图案的分辨率的图案逼真度的光掩模。所述光屏蔽层具有在193纳米的曝光波长下的2.0到4.0的光学密度、耐化学性以及用于缺陷修补的充足工艺裕量。另外,硬掩模膜使用包含锡和铬的化合物而形成为20埃到50埃的厚度,进而降低硬掩模膜的蚀刻速率。因此,抗蚀剂膜可形成为薄膜,进而制造高分辨率空白掩模。 | ||
申请公布号 | CN103529642A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
申请号 | CN201310273623.1 | 申请日期 | 2013.06.28 |
申请人 | 株式会社S&S技术 | 发明人 | 南基守;姜亘远;梁澈圭;李钟华;张圭珍 |
分类号 | G03F1/50(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/50(2012.01)I |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 一种空白掩模,其特征在于其在透明衬底上,包含光屏蔽层以及硬掩模膜,其中所述硬掩模膜包括锡、铬以及钽中的至少一者。 | ||
地址 | 韩国大邱广域市达西区狐林洞9番地 |