| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，功率供应电路和高频放大器，其中化合物半导体器件包括：化合物半导体区域，具有其中形成阶梯的表面；第一电极，形成为位于阶梯的上表面的上方，上表面为非极性面；以及第二电极，沿着阶梯的侧表面形成为在竖直方向上与第一电极间隔开，侧表面是极性面。 | ||
| 申请公布号 | CN103515429A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201310180255.6 | 申请日期 | 2013.05.15 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 朱雷 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H02M3/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王萍;陈炜 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体区域，具有其中形成阶梯的表面；第一电极，形成在所述阶梯的上表面的上方，所述上表面为非极性面；以及第二电极，沿着所述阶梯的侧表面形成，从而在竖直方向上与所述第一电极间隔开，所述侧表面是极性面。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||