STRUCTURE SEMICONDUCTRICE COMPORTANT UNE ZONE ABSORBANTE PLACEE DANS UNE CAVITE FOCALISANTE

摘要

L'invention concerne une structure (10) semiconductrice destinée à recevoir un rayonnement électromagnétique (2) comportant : une première zone semiconductrice d'un premier type de conductivité, une deuxième zone semiconductrice d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, la deuxième zone étant en contact avec la première zone de manière à former une jonction semiconductrice. La deuxième zone présente une portion dont la concentration en porteurs majoritaires est au moins inférieure de dix fois à la concentration en porteurs majoritaires de la première zone. La deuxième zone et sa portion sont essentiellement ménagées dans une première cavité adaptée pour focaliser dans la première cavité au moins une partie du rayonnement électromagnétique. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une telle structure et un composant semiconducteur.