用于制造经抛光的半导体晶圆的方法

摘要

本发明系关于一种用于制造经抛光的半导体晶圆的方法，该方法系包括以下顺序的多个步骤：;─由一半导体材料所构成的棒切割出一半导体晶圆，;─对该半导体晶圆的至少一侧进行材料移除加工，以及;─抛光该半导体晶圆的至少一侧，;其中，该半导体晶圆在该材料移除加工之后、以及待抛光的至少一侧进行抛光之前，沿着其边端具有一环形的局部隆起部分，该局部隆起部分具有至少0.1微米的最大高度，其中该局部隆起部分系在该半导体晶圆的边缘处的10毫米宽的环内达到其最大高度。