发明名称 |
氧化锌奈米柱薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明系提供一种在一基板上形成氧化锌晶种层,并于锌离子浓度为0.001~0.1M的氧化锌奈米柱薄膜成长溶液中于50~100℃之成长温度及0.5~10小时之成长时间下,令前述氧化锌晶种层上成长出一氧化锌晶柱层,进而获取一成长有晶柱层之氧化锌奈米柱薄膜的氧化锌奈米柱薄膜制备方法;该氧化锌奈米柱薄膜制备方法具有制程简单、低温与低成本,且能提供高致密性且具有良好光学特性之氧化锌奈米柱薄膜。 |
申请公布号 |
TWI412636 |
申请公布日期 |
2013.10.21 |
申请号 |
TW099101331 |
申请日期 |
2010.01.19 |
申请人 |
国立中正大学 嘉义县民雄乡大学路168号 |
发明人 |
丁初稷;李长紘;郭致佑;王祥辰 |
分类号 |
C30B29/16;C30B29/60;C30B33/00;G02B1/02 |
主分类号 |
C30B29/16 |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
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地址 |
嘉义县民雄乡大学路168号 |