光掩模、光掩模的制造方法及修正方法

摘要

提供一种使用在以ArF准分子激光为曝光光源的、基于变形照明的投影曝光中、能够确保作为辅助图案的焦点深度放大效果、同时在不使辅助图案发生析像的情况下形成主图案的高对比度的转印图像的具有辅助图案的半色调掩模及其制造方法。光掩模是在设有通过投影曝光而向转印对象面转印的主图案和形成在主图案的附近且不转印的辅助图案的光掩模，其特征在于，主图案和辅助图案通过由同一材料形成的半透明膜构成，使透过主图案的光与透过透明基板的透明区域的光产生180度的相位差，且使透过辅助图案的光与透过透明基板的透明区域的光产生70度～115度范围的规定的相位差。

主权项

一种光掩模，其使用在以ArF准分子激光为曝光光源的、基于变形照明的投影曝光中，该光掩模在透明基板的一主面上设有通过所述投影曝光而向转印对象面转印的主图案和形成在所述主图案的附近且向所述转印对象面不转印的辅助图案，所述主图案的所述转印对象面上的最小图案间距为120nm以下，所述光掩模的特征在于，所述主图案和所述辅助图案通过由同一材料形成的半透明膜构成，透过所述主图案的光与透过所述透明基板的透明区域的光产生180度的相位差，且透过所述辅助图案的光与透过所述透明基板的透明区域的光产生70度～115度范围的规定的相位差。