Feldeffekttransistor und Verfahren zum Herstellen desselben

摘要

Es sind Feldeffekt-Transistoren und Verfahren zum Herstellen derselben vorgesehen. Der Feldeffekt-Transistor kann ein Substrat (100) mit einer aktiven Struktur (AP), wobei die aktive Struktur (AP) eine obere Oberfläche und zwei Seitenwände hat, eine Gate-Elektrode (220) nahe zu der oberen Oberfläche und den Seitenwänden der aktiven Struktur (AP) und die aktive Struktur (AP) kreuzend, einen Gate-Abstandshalter (175), welcher eine Seitenwand der Gate-Elektrode (220) bedeckt, eine dielektrische Gate-Struktur an einer Bodenoberfläche der Gate-Elektrode (220), eine Source-Elektrode (180) auf der aktiven Struktur (AP) an einer Seite der Gate-Elektrode (220), eine Drain-Elektrode (180) auf der aktiven Struktur (AP) an einer anderen Seite der Gate-Elektrode (220) und Silizid-Strukturen jeweils auf Oberflächen der Source- und Drain-Elektrode (180) aufweisen. Die dielektrische Gate-Struktur weist wenigstens eine High-k-Schicht auf, und der Gate-Abstandshalter (175) hat eine dielektrische Konstante, welche kleiner ist als diejenige der dielektrischen Gate-Struktur.