非易失性存储元件以及非易失性存储装置

摘要

本发明涉及非易失性存储元件以及非易失性存储装置。非易失性存储元件具备第一电极（103）、第二电极（106）以及电阻变化层（104），电阻变化层（104）包括：第一氧化物层（104a），由具有p型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；第二氧化物层（104b），与第一氧化物层（104a）以及第二电极（106）之间相接地配置，由具有n型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；氧储存区域（110），配置在第一氧化物层（104a）内，不与第一电极（103）相接，与第一氧化物层（104a）相比含氧率更高；以及局部区域（105），在第二氧化物层（104b）内与氧储存区域（110）相接地配置，与第二氧化物层（104b）相比含氧率更低。

主权项

一种电阻变化型的非易失性存储元件，具备：第一电极、第二电极和电阻变化层，该电阻变化层夹在上述第一电极和上述第二电极之间，基于向上述第一电极以及上述第二电极间赋予的电压极性而可逆地在高电阻状态和低电阻状态之间过渡，上述电阻变化层包括：第一氧化物层，由具有p型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；第二氧化物层，与上述第一氧化物层以及上述第二电极之间相接地配置，由具有n型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；氧储存区域，配置在上述第一氧化物层内，不与上述第一电极接触，与上述第一氧化物层相比含氧率更高；以及局部区域，在上述第二氧化物层内与上述氧储存区域相接地配置，与上述第二氧化物层相比含氧率更低。