| 发明名称 | 具有物理气相沉积形成氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管的制造 | ||
| 摘要 | 在此描述具有物理气相沉积（PVD）形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管（LED）的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积（PVD）腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管（LED）结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积（PVD）腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103262215A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201180060112.0 | 申请日期 | 2011.12.13 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 朱鸣伟;维韦卡·阿格拉沃尔;纳格·B·帕蒂班德拉;奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 |
| 分类号 | H01L21/203(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;赵静 |
| 主权项 | 一种多腔室系统，包括：物理气相沉积（PVD）腔室，所述PVD腔室具有包含铝的靶；以及适于沉积无掺杂的氮化镓，或n型的氮化镓，或前述两种氮化镓的腔室。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||