Verfahren zur Oberflächenpräparation von Si (100)-Substraten.

摘要

Bekannte Verfahren zur Beeinflussung der Domänenausbildung mit Typ-A-Terrassen zwischen DA-Doppelstufen und Typ-B-Terrassen zwischen DB-Doppelstufen bei der Oberflächenrekonstruktion einer Si(100)-Schicht auf einem unkontaminierten, glatten Si(100)-Substrat mit bekannter Fehlorientierung beziehen sich auf Oberflächenpräparationen im Ultrahochvakuum unter Anwendung äußerer elektrischer oder mechanischer Kräfte oder Ionenbombardement. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht ohne Anwendung äußerer Kräfte oder Ionen eine in ihrem Anteil wählbare Herstellung von Doppelstufen auf Si(100)-Oberflächen innerhalb einer druckbeaufschlagten CVD- bzw. MOVPE-Umgebung für verschiedene Fehlorientierungen des Siliziumsubstrats, wobei auch bislang in der Fachwelt als unwahrscheinlich erachtete DA-Doppelstufen, einstellbar erzeugt werden können. Der Rekonstruktionsprozess ist durch gezielte Anwendung von Prozessparametern und -zyklen reversibel zwischen den einzelnen Terrassentypen steuerbar, wobei zur Auswahl der Prozessparameter in Abhängigkeit von der angestrebten Oberflächenrekonstruktion Präparationsdiagramme A, B, C in Abhängigkeit von der Fehlorientierung angegeben werden. Die erzeugten, in ihrer Domänenorientierung einstellbaren Si-Schichtsysteme können beispielsweise in der Mikro- und Opto-Elektronik und in der Hocheffizienzphotovoltaik eingesetzt werden.