| 发明名称 | 纳米线浮栅晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及浮栅晶体管、存储单元以及制造器件的方法。所述浮栅晶体管包括基本上为圆柱形形式的一条或多条栅控线。所述浮栅晶体管包括至少部分地覆盖所述栅控线的第一栅极介电层。所述浮栅晶体管还包括间断地设置在所述第一栅极介电层上的多个栅极晶体。所述浮栅晶体管还包括覆盖所述多个栅极晶体和所述第一栅极介电层的第二栅极介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN103199115A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201310002191.0 | 申请日期 | 2013.01.04 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·邦萨伦提普;G·M·科昂;A·马宗达;J·W·斯雷特 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种浮栅晶体管，包括：至少一条栅控线，其基本上为圆柱形形式；第一栅极介电层，其至少部分地覆盖所述至少一条栅控线；多个栅极晶体，其被间断地设置在所述第一栅极介电层上；以及第二栅极介电层，其覆盖所述多个栅极晶体和所述第一栅极介电层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||