FS型IGBT器件的背面结构

摘要

本发明公开了一种FS型IGBT器件的背面结构，在漂移区的下表面连接有缓冲层，在缓冲层的下表面连接有集电极层；所述缓冲层具有相互间隔的第一缓冲区和第二缓冲区，第一缓冲区的掺杂浓度小于第二缓冲区的掺杂浓度；所述集电极层具有相互间隔的第一集电极区和第二集电极区，第一集电极区的参杂掺杂小于第二集电极区的掺杂浓度；每个第一缓冲区的正下方对应设置所述的第一集电极区，每个第二缓冲区的正下方对应设置所述的第二集电极区；第一缓冲区和第二缓冲区的排列延伸方向以及第一集电极区和第二集电极区的排列延伸方向均与条形Trench多晶硅栅延伸方向相平行。本发明保证了器件的高耐压性能，本发明优化了IGBT关断损耗和导通压降的折中关系，本发明有效降低了背面接触电阻。

主权项

一种FS型IGBT器件的背面结构，其特征是：在漂移区（1）的下表面连接有缓冲层（2），在缓冲层（2）的下表面连接有集电极层（3）；所述缓冲层（2）具有相互间隔的第一缓冲区（21）和第二缓冲区（22），第一缓冲区（21）的掺杂浓度小于第二缓冲区（22）的掺杂浓度；所述集电极层（3）具有相互间隔的第一集电极区（31）和第二集电极区（32），第一集电极区（31）的参杂掺杂小于第二集电极区（32）的掺杂浓度；每个第一缓冲区（21）的正下方对应设置所述的第一集电极区（31），每个第二缓冲区（22）的正下方对应设置所述的第二集电极区（32）；第一缓冲区（21）和第二缓冲区（22）的排列延伸方向以及第一集电极区（31）和第二集电极区（32）的排列延伸方向均与条形Trench多晶硅栅延伸方向相平行。