发明名称 |
一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及薄膜晶体管驱动背板 |
摘要 |
一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及所制备的驱动背板,薄膜晶体管的制备工艺包括a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜,然后使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;e.在所述刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜作为保护层,并图形化所述第三绝缘薄膜,刻蚀形成源漏电极区域;f.在所述保护层上制备并图形化金属薄膜层作为连接导线。本发明制备工艺简单,所制备的薄膜晶体管稳定性好、尺寸小,可实现薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。 |
申请公布号 |
CN103094205A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201310042927.7 |
申请日期 |
2013.02.04 |
申请人 |
广州新视界光电科技有限公司 |
发明人 |
徐苗;周雷;罗东向;徐华;李民;庞佳威;王琅;王磊;彭俊彪 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
广州市南锋专利事务所有限公司 44228 |
代理人 |
李慧 |
主权项 |
一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜,然后使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;e.在所述刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜作为保护层,并图形化所述第三绝缘薄膜,刻蚀形成源漏电极区域;f.在所述保护层上制备并图形化金属薄膜层,作为连接导线。 |
地址 |
510730 广东省广州市萝岗区开源大道11号科技企业加速器A1栋 |