发明名称 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及薄膜晶体管驱动背板
摘要 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及所制备的驱动背板,薄膜晶体管的制备工艺包括a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜,然后使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;e.在所述刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜作为保护层,并图形化所述第三绝缘薄膜,刻蚀形成源漏电极区域;f.在所述保护层上制备并图形化金属薄膜层作为连接导线。本发明制备工艺简单,所制备的薄膜晶体管稳定性好、尺寸小,可实现薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。
申请公布号 CN103094205A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201310042927.7 申请日期 2013.02.04
申请人 广州新视界光电科技有限公司 发明人 徐苗;周雷;罗东向;徐华;李民;庞佳威;王琅;王磊;彭俊彪
分类号 H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人 李慧
主权项 一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜,然后使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;e.在所述刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜作为保护层,并图形化所述第三绝缘薄膜,刻蚀形成源漏电极区域;f.在所述保护层上制备并图形化金属薄膜层,作为连接导线。
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