半导体探测器γ/X射线电荷收集效率的测量方法及系统

摘要

本发明涉及半导体探测器γ/X射线电荷收集效率的测量方法及系统，包括以下步骤：1.1、确定所需杂散电子过滤片的厚度，并将其紧贴式放置在待测半导体探测器前端；1.2、测量待测半导体探测器对辐射响应的信号电流计算单位时间内辐射在待测半导体探测器内产生的总电荷量I_mth；1.3、计算待测半导体探测器γ/X射线电荷收集效率η：本发明解决了现有实验技术在测量半导体探测器γ/X射线电荷收集效率时，由于实验环境中杂散电子产生了严重的干扰信号而无法获得正确测量结果的技术问题。本发明为半导体探测器在γ/X射线作用下的电荷收集效率测量提供了崭新方法。

主权项

1.一种半导体探测器γ/X射线电荷收集效率的测量方法，包括以下步骤：1.1]确定所需杂散电子过滤片的厚度，并将其紧贴式放置在待测半导体探测器前端，所述杂散电子过滤片的材料为低原子序数绝缘介质材料；1.2]测量待测半导体探测器对辐射响应的信号电流计算单位时间内辐射在待测半导体探测器内产生的总电荷量I_mth；1.3]计算待测半导体探测器γ/X射线电荷收集效率η：$\eta =\frac{{\bar{I}}_{\mathrm{me}}}{I_{\mathrm{mth}}},$所述确定所需杂散电子过滤片的厚度的方法如下：1.1.1]γ/X射线产生源产生γ/X射线；1.1.2]任取一定厚度的杂散电子过滤片过滤γ/X射线在探测介质周围产生的杂散电子；1.1.3]用电荷收集效率已知的检验半导体探测器测量从杂散电子过滤片穿出的γ/X射线和电子束，读出信号电流该检验半导体探测器为Si-PIN半导体探测器；1.1.4]计算单位时间内辐射在检验半导体探测器内产生的总电荷量I_mth；1.1.5]由计算检验半导体探测器γ/X射线电荷收集效率η，若电荷收集效率为100%，则确定所需杂散电子过滤片的厚度；否则，另取其他厚度的杂散电子过滤片，重复步骤1.1.2]至1.1.5]。