发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 在一于一具有一柱图案之基板上制造一半导体装置之方法中,在该柱图案上形成一闸电极而不蚀刻该柱图案。在邻近柱图案之间填充一导电图案,在该导电图案之上且围绕每一柱图案之侧壁形成一隔片,且藉由使用该隔片作为一蚀刻障壁来蚀刻该导电图案而形成该闸电极。
申请公布号 TWI391999 申请公布日期 2013.04.01
申请号 TW097150463 申请日期 2008.12.24
申请人 海力士半导体股份有限公司 南韩 发明人 曹允硕;朴相勋;郑永均;李春熙
分类号 H01L21/28;H01L21/308 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 南韩
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