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Verfahren, um ein Halbleiterbauelement zu bilden, umfassend: das Aufbringen einer dielektrischen Schicht über einem Substrat; das Aufbringen einer ersten Polyschicht über der dielektrischen Schicht; das Bilden einer Vielzahl von Isolierungsregionen in einer Sourceregion oder einer Drainregion des Substrats; das Ätzen der ersten Polyschicht, um eine gemusterte erste Polyschicht über einer Kanalregion des Substrats zu bilden, wobei sich die Kanalregion zwischen der Sourceregion und der Drainregion befindet; das Bilden einer zweiten Polyschicht über der gemusterten ersten Polyschicht, wobei die zweite Polyschicht Fingerelemente aufweist, die sich über die Vielzahl von Isolierungsregionen erstrecken.
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