| 发明名称 | 一种掺硒的羟基磷灰石及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺硒的羟基磷灰石及其制备方法，利用该制备方法得到的掺硒的羟基磷灰石，结构为磷灰石类结构，硒元素以亚硒酸根的形式部分取代羟基磷灰石晶体中的磷酸根和/或羟基的位置。该掺硒的羟基磷灰石产量高、具有良好的分散性。 | ||
| 申请公布号 | CN102249206B | 申请公布日期 | 2013.02.20 |
| 申请号 | CN201110127119.1 | 申请日期 | 2011.05.16 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 张胜民;刘咏辉 |
| 分类号 | C01B25/32(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C01B25/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 周发军 |
| 主权项 | 一种掺硒的羟基磷灰石，其特征在于，结构为磷灰石类结构，硒元素以亚硒酸根的形式部分取代羟基磷灰石晶体中的磷酸根和/或羟基的位置，所述掺硒的羟基磷灰石硒对磷的摩尔取代度为0.1%～10%，即掺硒的羟基磷灰石中硒与磷的摩尔比为0.1%～10%。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||