用于ＡＲＣ材料之ＣＤ缩小之蚀刻制程

摘要

一种缩小在抗反射涂层(anti－reflective coating layer)结构中之特征(feature)之关键尺寸(critical dimension,CD)的方法可使用聚合剂。抗反射涂层结构可用以形成多种积体电路结构。抗反射涂层可用以形成包括多晶矽及介电层之闸极堆叠、导电线或其他IC结构。聚合剂可包括碳、氢及氟。