发明名称 半导体器件以及半导体器件的制造方法
摘要 在抑制制造成本时提高可靠性。半导体器件(100)包括基板(110)、安装在基板(110)上的绝缘基板(141和142)、在绝缘基板(141和142)上形成的金属图案(152和155)、隔着接合材料安装在金属图案(152和155)上的电子部件、以及与配线用布线分开的布线构件(201至206),该布线构件包含抗接合材料的材料并且在金属图案(152和155)上以及在电子部件周围形成。
申请公布号 CN102859671A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201180018762.9 申请日期 2011.09.08
申请人 富士电机株式会社 发明人 大西一永;高宫喜和;船越孝章;小平悦宏
分类号 H01L21/52(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L25/04(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H05K3/34(2006.01)I 主分类号 H01L21/52(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张鑫
主权项 一种半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括:基板;安装在所述基板上的绝缘基板;在所述绝缘基板上形成的金属层;隔着接合材料安装在所述金属层上的电子部件;以及与配线用布线分开的布线构件,所述布线构件包含抗所述接合材料的材料并且在所述金属层上以及在所述电子部件周围形成。
地址 日本神奈川县