发明名称 导电性粒子及其制造方法
摘要 本发明的目的是提供压缩变形后的变形回复率,特别是高压缩位移时的变形回复率优异的导电性粒子及其制造方法。解决方法是采用一种导电性粒子,该粒子具有聚合物母粒和覆盖该聚合物母粒的导电层,在该导电性粒子的粒子直径位移为X%时一个导电性粒子的压缩弹性变形特性Kx用下述式(1)定义的情况下,Kx=(3/_)·(Sx-3/2)·(R-1/2)·Fx              [1][式中,Fx表示导电性粒子的X%位移所必需的载荷(N),Sx表示导电性粒子的X%位移下的压缩变形量(mm),R表示导电性粒子的粒子半径(mm)]上述导电性粒子的粒子直径位移为50%时,压缩弹性变形特性K50在20℃下为100~50000N/mm2,同时上述导电性粒子的粒子直径位移为50%时,导电性粒子的粒子直径回复率在20℃下为30%以上。
申请公布号 CN101153080B 申请公布日期 2012.12.12
申请号 CN200710161376.0 申请日期 2007.09.28
申请人 日本化学工业株式会社 发明人 桥场俊文;早川和寿;工藤里美;森山孝平;藤井毅
分类号 C08J3/12(2006.01)I;C08J7/04(2006.01)I;C08F20/00(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;C08L101/12(2006.01)I;C09J9/02(2006.01)I 主分类号 C08J3/12(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 陈昕
主权项 导电性粒子,该导电性粒子具有聚合物母粒和覆盖该聚合物母粒的导电层,其特征在于在该导电性粒子的粒子直径位移为X%时一个导电性粒子的压缩弹性变形特性Kx用下述式[1]定义的情况下, <mrow> <mi>Kx</mi> <mo>=</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>3</mn> <mo>/</mo> <msqrt> <mn>2</mn> </msqrt> <mo>)</mo> </mrow> <mo>&CenterDot;</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>S</mi> <msup> <mi>x</mi> <mrow> <mo>-</mo> <mn>3</mn> <mo>/</mo> <mn>2</mn> </mrow> </msup> <mo>)</mo> </mrow> <mo>&CenterDot;</mo> <mrow> <mo>(</mo> <msup> <mi>R</mi> <mrow> <mo>-</mo> <mn>1</mn> <mo>/</mo> <mn>2</mn> </mrow> </msup> <mo>)</mo> </mrow> <mo>&CenterDot;</mo> <mi>Fx</mi> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>[</mo> <mn>1</mn> <mo>]</mo> </mrow>式中,Fx表示导电性粒子的X%位移所必需的载荷,Sx表示导电性粒子的X%位移下的压缩变形量,R表示导电性粒子的粒子半径,上述导电性粒子的粒子直径位移为50%时,压缩弹性变形特性K50在20℃下为100~50000N/mm2,同时上述导电性粒子的粒子直径位移为50%时,导电性粒子的粒子直径回复率在20℃下为30%以上,上述聚合物母粒包括核粒子和形成于该核粒子表面的聚合物被覆层,上述聚合物被覆层是由疏水性树脂制成的层,上述核粒子是使用原料单体中35质量%以上的具有2个以上不饱和双键的单体得到的。
地址 日本东京