| 发明名称 | 一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法，该腐蚀方法包括以下步骤：将磷化铟单晶片放在夹具上；将硫酸、双氧水、水按照硫酸：双氧水：水=（4-6）：（1-3）：（1-2）的配比配制腐蚀液；当所述容器内腐蚀液达到60-75度的腐蚀温度时，将夹有所述磷化铟单晶片的所述夹具放入所述腐蚀液中，进行腐蚀，腐蚀时间为2-6分钟；将所述磷化铟单晶片取出，迅速放入去离子水中清洗。本发明能够有效解决磷化铟单晶片在切、磨等加工过程中产生的表面机械损伤的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102796526A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210274330.0 | 申请日期 | 2012.08.02 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 发明人 | 林健;赵权;刘春香;吕菲;杨洪星;于妍;佟丽英 |
| 分类号 | C09K13/04(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 梁军 |
| 主权项 | 一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4‑6）：（1‑3）：（1‑2）。 | ||
| 地址 | 300220 天津市河西区洞庭路26号 | ||