发明名称 | 一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法 | ||
摘要 | 本发明是一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法,包括以下步骤:1)使用酸性溶液清洗经过离子注入的SiC晶片;2)在SiC晶片上涂覆一层有机化合物作为保护层;3)将SiC晶片放入高温退火炉,充入氩气作为保护气体;4)将SiC晶片加热到第一温度,进行保护层碳化;5)将SiC晶片加热到第二温度,进行高温退火;6)降温阶段。优点:采用碳化后的光刻胶作为高温退火时的保护层,保护层的制备不需要使用额外的设备,在高温炉内就可以完成,工艺简单,成本低;保护气体采用氩气,设备不需要尾气处理系统;改进后的退火条件,能够大幅缩短工艺时间;能够完全保护SiC表面在高温退火过程中不受影响,最终提高器件的可靠性和成品率。 | ||
申请公布号 | CN102664151A | 申请公布日期 | 2012.09.12 |
申请号 | CN201210104300.5 | 申请日期 | 2012.04.11 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 李理;柏松;陈刚 |
分类号 | H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
主权项 | 一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法,其特征是该方法包括如下步骤:1)使用酸性溶液清洗经过离子注入的SiC晶片; 2)在SiC晶片上涂覆一层有机化合物作为保护层; 3)将SiC晶片放入高温退火炉,充入氩气作为保护气体; 4)将高温退火炉气压设为第一气压,将SiC晶片作第一次升温,加热到第一温度,保持温度进行保护层碳化;5)将高温退火炉气压设为第二气压,将SiC晶片作第二次升温,由第一温度升温加热到第二温度,保持温度进行高温退火;6)将高温退火炉气压设为第三气压,将SiC晶片由第二温度降温到室温。 | ||
地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 |