发明名称 |
发光二极体晶片及其制造方法 |
摘要 |
一种发光二极体晶片包括一半导体层、一第一电极、一第二电极、一导电插塞以及一第三电极。其中,半导体层包括一第一型掺杂半导体层、一覆盖第一型掺杂半导体层之部分区域的发光层以及一配置于发光层上的第二型掺杂半导体层。第一电极配置于未被发光层覆盖之第一型掺杂半导体层上。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上。导电插塞贯穿于第一型掺杂半导体层,且导电插塞的一端与第一电极电性连接。第三电极与导电插塞的另一端电性连接,而且第一电极与第三电极分别位于第一型掺杂半导体层的二相对侧。 |
申请公布号 |
TWI369005 |
申请公布日期 |
2012.07.21 |
申请号 |
TW096150314 |
申请日期 |
2007.12.26 |
申请人 |
许进恭 台南市将军区将贵里70号;许世昌 台南市安平区府平路144巷65号;赖韦志 嘉义县大林镇水源路46巷38号 |
发明人 |
许进恭;许世昌;赖韦志 |
分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
嘉义县大林镇水源路46巷38号 |