| 发明名称 | 半导体复合装置、LED、LED打印头和成像装置 | ||
| 摘要 | 半导体复合装置、LED、LED打印头和成像装置半导体复合装置包括基板(2)和平坦化层(3)以及半导体薄膜(4)。平坦化层(3)直接或间接形成在基板上。所述平坦化层包括面对基板(2)的第一表面和在平坦化层(3)上远离基板(2)一侧上的第二表面。第二表面的平坦度小于第一表面。半导体薄膜(4)形成在平坦化层(3)上。第二表面的平坦度不超过5nm。 | ||
| 申请公布号 | CN1835256B | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN200610059402.4 | 申请日期 | 2006.03.02 |
| 申请人 | 日本冲信息株式会社 | 发明人 | 荻原光彦;武藤昌孝;猪狩友希;铃木贵人 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;G03G15/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 孙秀武;李连涛 |
| 主权项 | 半导体复合装置，包括：基板(2，22，2，22，22，110，132，110，110，110，110)；直接或间接地形成在所述基板上的平坦化层(3，25，42，25，25，115，134，115，153，153)，所述平坦化层包括面对所述基板(2，22，2，22，22，110，132，110，110，110，110)的第一表面和在所述平坦化层(3，25，42，25，25，115，134，115，153，153)上远离所述基板(2，22，2，22，22，110，132，110，110，110，110)一侧上的第二表面；和与所述平坦化层(3，25，42，25，25，115，134，115，153，153)接合的半导体薄膜(4，28，4，28，28，116，135，116，154，154，154)，其中所述半导体薄膜是外延结构。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||